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热敏电阻元件及其制造方法 [复制链接]

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发表于 2018-7-4 10:52:33 |只看该作者
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发表于 2020-7-15 06:32:34 |只看该作者 |倒序浏览
本发明提供一种热敏电阻元件及其制造方法,该热敏电阻元件能够抑制绝缘体的量的同时,比以往结构大幅度地提高阻抗值。其具备有:板状的金属氧化物烧结体(2) ;绝缘层(3),形成在分别除了作为电极接合部(2a) 这一部分以外的该金属氧化物烧结体(2) 的上下面;以及一对电极层(4),在金属氧化物烧结体(2) 的上下面至少形成于电极接合部(2a)。并且,在金属氧化物烧结体(2) 的原料中混合有通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,绝缘层(3) 为在金属氧化物烧结体(2) 的烧结时析出于表面的绝缘薄膜。
1. 一种热敏电阻元件,其特征在于,具备有:
板状的金属氧化物烧结体;
绝缘层,形成在分别除了作为电极接合部这一部分以外的该金属氧化物烧结体的上下面;以及一对电极层,在所述金属氧化物烧结体的上下面至少形成于所述电极接合部。
2. 如权利要求1 所述的热敏电阻元件,其特征在于,在所述金属氧化物烧结体的原料中混合有通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,所述绝缘层为在所述金属氧化物烧结体烧结时析出于表面的绝缘薄膜。
3. 如权利要求2 所述的热敏电阻元件,其特征在于,所述金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)ABO3+zY2O3 表示的复合氧化物烧结体,其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0 < z ≤ 0.8,
所述绝缘层为Y2O3 层。
4. 如权利要求3 所述的热敏电阻元件,其特征在于,所述金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)(Y1-yLay)(Cr1-xMnx)O3+zY2O3 表示的物质,其中,0.0 ≤ x ≤ 1.0,0.0 ≤ y ≤ 1.0,0 < z ≤ 0.8。
5. 如权利要求1 至4 中的任一项所述的热敏电阻元件,其特征在于,具备:一对导线,连接于所述一对电极层;以及模具部,用玻璃或耐热树脂密封所述金属氧化物烧结体和所述导线的连接部分。
6. 一种热敏电阻元件的制造方法,其特征在于,具有:在分别除了作为电极接合部这一部分以外的板状的金属氧化物烧结体的上下面形成绝缘层的工序;以及在所述金属氧化物烧结体的上下面的至少所述电极接合部形成一对电极层的工序,在所述金属氧化物烧结体的原料中混合通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,在形成所述绝缘层的工序中,通过烧结使所述绝缘薄膜析出于所述金属氧化物烧结体的表面而形成所述绝缘层。
7. 如权利要求6 所述的热敏电阻元件的制造方法,其特征在于,所述金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)ABO3+zY2O3 表示的金属氧化物烧结体,其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0 < z ≤ 0.8,
所述绝缘层为Y2O3 层。
8. 如权利要求7 所述的热敏电阻元件的制造方法,其特征在于,所述金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)(Y1-yLay)(Cr1-xMnx)O3+zY2O3 表示的物质,其中,0.0 ≤ x ≤ 1.0,0.0 ≤ y ≤ 1.0,0 < z ≤ 0.8。
9. 如权利要求6 至8 中的任一项所述的热敏电阻元件的制造方法,其特征在于,具有:在所述金属氧化物烧结体的两面整体上形成所述绝缘层的工序;以及将激光照射到所述绝缘层的一部分来局部去除所述绝缘层而形成所述电极接合部的工序。
10. 如权利要求6 至8 中的任一项所述的热敏电阻元件的制造方法,其特征在于,具有:
在所述金属氧化物烧结体的两面整体上形成所述绝缘层的工序;以及对所述绝缘层的一部分通过喷砂法去除所述绝缘层而形成所述电极接合部的工序。
热敏电阻元件及其制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种例如用于与汽车相关等的温度计量的热敏电阻元件及其制造方法。
背景技术
[0002] 一般,作为计量汽车发动机周围的催化剂温度或排气系统温度等的温度传感器采用热敏电阻温度传感器。用于该热敏电阻温度传感器的热敏电阻元件例如用作上述汽车关联技术、信息设备、通信设备、医疗用设备、住宅设备机器等的温度传感器,使用具有大的负温度系数的氧化物半导体的烧结体元件。
[0003] 通常,为了利用热敏电阻元件测定温度,串联连接热敏电阻元件和通常1kΩ 左右的上拉电阻而外加数V 的电压,测定施加于其电阻两端的电压并换算为温度。因此,作为热敏电阻元件的阻抗值,在测定温度范围,在低温侧要求数十kΩ 以下的阻抗值,在高温侧要求数十Ω 以上的阻抗值。并且,在近几年,要求通过以汽车行业为首的称为OBD(On BoardDiagnosis) 的自诊断系统的义务化从低温至高温以宽量程测定温度。
[0004] 随着测定温度区域扩大,要求相对于温度的阻抗值变化更稳定的宽量程特性,即要求B 常数小,根据用途还要求B 常数为2000K 左右。另一方面,若B 常数变小,则阻抗率也处于变小的倾向,所以一般以通常的传感器元件的大小使用,阻抗值变得过低而很难用热敏电阻材料单体实现。
[0005] 因此,在以往,例如在专利文献1 中提出有以下方法:为了提高阻抗值,在热敏电阻材料上增加绝缘体而设为混合烧结体。
[0006] 专利文献1 :日本专利公开2009-88494 号公报
[0007] 在上述以往技术中留有以下课题。
[0008] 即,设为以往增加绝缘体的混合烧结体而提高阻抗值的方法中,随着B 常数变小,为了体现所希望的特性需要增加相当比率的绝缘体。因此,在该方法中,绝缘体量的一点点偏差就会联系到阻抗值的偏差,存在难以稳定制作的问题点。
发明内容
[0009] 本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种能够抑制绝缘体量的同时比以往结构更大幅度地提高阻抗值的热敏电阻元件及其制造方法。
[0010] 本发明为了解决所述课题采用了以下结构。即,本发明的热敏电阻元件的特征在于,具备有:板状的金属氧化物烧结体;绝缘层,形成在分别除了作为电极接合部这一部分以外的该金属氧化物烧结体的上下面;以及一对电极层,在所述金属氧化物烧结体的上下面至少形成于所述电极接合部。
[0011] 在该热敏电阻元件中,因为具备有绝缘层和一对电极层,所述绝缘层形成在分别除了作为电极接合部这一部分以外的金属氧化物烧结体的上下面,所述电极层在金属氧化物烧结体的上下面至少形成于电极接合部,所以电极层与金属氧化物烧结体的接合仅为电极接合部且有效电极面积降低,因此不用增加金属氧化物烧结体中的绝缘体就能够提高阻抗值。而且,与增加金属氧化物烧结体中的绝缘体的情况相比,以降低该有效电极面积的本发明的热敏电阻元件能够减小阻抗值的偏差。
[0012] 而且,本发明的热敏电阻元件的特征在于,在所述金属氧化物烧结体的原料中混合有通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,所述绝缘层为在所述金属氧化物烧结体烧结时析出于表面的绝缘薄膜。
[0013] 而且,本发明的热敏电阻元件的制造方法的特征在于,包括:在分别除了作为电极接合部这一部分以外的板状的金属氧化物烧结体的上下面形成绝缘层的工序;以及在所述金属氧化物烧结体的上下面的至少所述电极接合部形成一对电极层的工序,所述金属氧化物烧结体的原料中混合通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,在形成所述绝缘层的工序中,通过烧结使所述绝缘薄膜析出于所述金属氧化物烧结体的表面而形成所述绝缘层。
[0014] 即,在这些热敏电阻元件及其制造方法中,因为绝缘层为在金属氧化物烧结体烧结时析出于表面的绝缘薄膜,所以能够与烧结同时自动地形成绝缘层,比设置在烧结后的金属氧化物烧结体的表面另外形成绝缘层的工序的情况更能缩减工序数。而且,根据混合于金属氧化物烧结体的原料的绝缘材料能够提高金属氧化物烧结体自身的阻抗值。
[0015] 而且,本发明的热敏电阻元件的特征在于,所述金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)ABO3+zY2O3( 其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0 < z ≤ 0.8) 表示的复合氧化物烧结体,所述绝缘层为Y2O3 层。
[0016] 而且,本发明的热敏电阻元件的制造方法的特征在于,所述金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)ABO3+zY2O3( 其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0 < z ≤ 0.8) 表示的复合氧化物烧结体,所述绝缘层为Y2O3 层。
[0017] 即,在这些热敏电阻元件及其制造方法中,因为金属氧化物烧结体为由通式:
(1-z)ABO3+zY2O3( 其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0 < z ≤ 0.8) 表示的复合氧化物烧结体,
并且绝缘层为Y2O3 层,所以根据以绝缘性高的良好的绝缘薄膜的形式析出的Y2O3 层,能够得
到偏差小的阻抗值特性。
[0018] 尤其,优选金属氧化物烧结体为由通式:(1-z)(Y1-yLay)(Cr1-xMnx)O3+zY2O3( 其中,
0.0 ≤ x ≤ 1.0、0.0 ≤ y ≤ 1.0、0 < z ≤ 0.8) 表示的物质。
[0019] 而且,本发明的热敏电阻元件的特征在于,具备有:一对导线,连接于所述一对电极层;以及模具部,用玻璃或耐热树脂密封所述金属氧化物烧结体和所述导线的连接部分。
[0020] 即,在该热敏电阻元件中,因为用玻璃或耐热树脂的模具部密封金属氧化物烧结体和导线的连接部分,所以可根据模具部从大气遮断金属氧化物烧结体来提高耐环境性。
[0021] 而且,本发明的热敏电阻元件的制造方法的特征在于,具有:在所述金属氧化物烧结体的两面整体上形成所述绝缘层的工序;以及将激光照射到所述绝缘层的一部分来局部去除所述绝缘层形成所述电极接合部的工序。
[0022] 即,在该热敏电阻元件的制造方法中,因为将激光照射到绝缘层的一部分而局部去除绝缘层而形成电极接合部,所以只能使照射激光的部分露出金属氧化物烧结体,并能够高精度地形成窄幅的电极接合部。
[0023] 而且,本发明的热敏电阻元件的制造方法的特征在于,具有:在所述金属氧化物烧结体的两面整体上形成所述绝缘层的工序;以及对所述绝缘层的一部分通过喷砂法去除所述绝缘层而形成所述电极接合部的工序。
[0024] 即,在该热敏电阻元件的制造方法中,因为对绝缘层的一部分通过喷砂法去除绝缘层而形成电极接合部,所以在激光照射中不会对金属氧化物烧结体带来热影响等。
[0025] 发明效果
[0026] 根据本发明得到以下效果。
[0027] 即,根据本发明所涉及的热敏电阻元件及其制造方法,因为具备有绝缘层和一对电极层,所述绝缘层形成在分别除了作为电极接合部这一部分以外的金属氧化物烧结体的上下面,所述电极层在金属氧化物烧结体的上下面至少形成于电极接合部,所以能够降低有效电极面积来提高阻抗值的同时,与增加金属氧化物烧结体中的绝缘体的情况相比,更能减小阻抗值的偏差。
[0028] 从而,本发明的热敏电阻元件为高阻抗率的同时阻抗值偏差小,能够在低温区域至高温区域的广泛范围内进行高精度的测定,尤其适合用作检测汽车发动机周围的催化剂温度或排气系统温度的广泛范围测定用温度传感器。
附图说明
[0029] 图1 是本发明所涉及的热敏电阻元件及其制造方法的一实施方式中表示热敏电阻元件的剖面图。
[0030] 图2 是本实施方式中示意地表示金属氧化物烧结体的主要部分剖面的图。
[0031] 图3 是本实施方式中按工序顺序表示热敏电阻元件的制造方法中至电极形成工序的俯视图。
[0032] 图4 是本实施方式中表示热敏电阻元件的制造方法的切割工序的俯视图。
[0033] 图5 是本实施方式中表示切割后的热敏电阻元件的俯视图及剖面图。
[0034] 符号说明
[0035] 1- 热敏电阻元件,2- 金属氧化物烧结体,2a- 电极接合部,3- 绝缘层,4- 电极层,5- 导线,6- 模具部,W- 金属氧化物烧结体的晶片。
具体实施方式
[0036] 以下,参照图1 至图5 说明本发明所涉及的热敏电阻元件及其制造方法的一实施方式。另外,在用于以下说明的各附图中,为了将各部件设为可识别或容易识别的大小,根据必要适当地变更比例尺。
[0037] 如图1 所示,本实施方式的热敏电阻元件1 具备有:板状的金属氧化物烧结体2 ;绝缘层3,形成在分别除了作为电极接合部2a 这一部分以外的该金属氧化物烧结体2 的上下面;一对电极层4,在金属氧化物烧结体2 的上下面至少形成于电极接合部2a ;一对导线
5,连接于一对电极层4 ;模具部6,用玻璃或耐热树脂密封金属氧化物烧结体2 和导线5 的连接部分。
[0038] 上述金属氧化物烧结体2 的原料中混合有通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,如图2 所示,所述绝缘层3 为在金属氧化物烧结体2 烧结时析出于表面的绝缘薄膜。
结体的两面整体上形成所述绝缘层的工序;以及对所述绝缘层的一部分通过喷砂法去除所述绝缘层而形成所述电极接合部的工序。
[0024] 即,在该热敏电阻元件的制造方法中,因为对绝缘层的一部分通过喷砂法去除绝缘层而形成电极接合部,所以在激光照射中不会对金属氧化物烧结体带来热影响等。
[0025] 发明效果
[0026] 根据本发明得到以下效果。
[0027] 即,根据本发明所涉及的热敏电阻元件及其制造方法,因为具备有绝缘层和一对电极层,所述绝缘层形成在分别除了作为电极接合部这一部分以外的金属氧化物烧结体的上下面,所述电极层在金属氧化物烧结体的上下面至少形成于电极接合部,所以能够降低有效电极面积来提高阻抗值的同时,与增加金属氧化物烧结体中的绝缘体的情况相比,更能减小阻抗值的偏差。
[0028] 从而,本发明的热敏电阻元件为高阻抗率的同时阻抗值偏差小,能够在低温区域至高温区域的广泛范围内进行高精度的测定,尤其适合用作检测汽车发动机周围的催化剂温度或排气系统温度的广泛范围测定用温度传感器。附图说明
[0029] 图1 是本发明所涉及的热敏电阻元件及其制造方法的一实施方式中表示热敏电阻元件的剖面图。
[0030] 图2 是本实施方式中示意地表示金属氧化物烧结体的主要部分剖面的图。
[0031] 图3 是本实施方式中按工序顺序表示热敏电阻元件的制造方法中至电极形成工序的俯视图。
[0032] 图4 是本实施方式中表示热敏电阻元件的制造方法的切割工序的俯视图。
[0033] 图5 是本实施方式中表示切割后的热敏电阻元件的俯视图及剖面图。
[0034] 符号说明
[0035] 1- 热敏电阻元件,2- 金属氧化物烧结体,2a- 电极接合部,3- 绝缘层,4- 电极层,5- 导线,6- 模具部,W- 金属氧化物烧结体的晶片。
具体实施方式
[0036] 以下,参照图1 至图5 说明本发明所涉及的热敏电阻元件及其制造方法的一实施方式。另外,在用于以下说明的各附图中,为了将各部件设为可识别或容易识别的大小,根据必要适当地变更比例尺。
[0037] 如图1 所示,本实施方式的热敏电阻元件1 具备有:板状的金属氧化物烧结体2 ;绝缘层3,形成在分别除了作为电极接合部2a 这一部分以外的该金属氧化物烧结体2 的上下面;一对电极层4,在金属氧化物烧结体2 的上下面至少形成于电极接合部2a ;一对导线
5,连接于一对电极层4 ;模具部6,用玻璃或耐热树脂密封金属氧化物烧结体2 和导线5 的连接部分。
[0038] 上述金属氧化物烧结体2 的原料中混合有通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,如图2 所示,所述绝缘层3 为在金属氧化物烧结体2 烧结时析出于表面的绝缘薄膜。

[0039] 金属氧化物烧结体2 为由通式:(1-z)ABO3+zY2O3( 其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0
< z ≤ 0.8) 表示的复合氧化物烧结体,绝缘层3 为Y2O3 层。尤其,金属氧化物烧结体2 为由
通式:(1-z)(Y1-yLay)(Cr1-xMnx)O3+zY2O3( 其中,0.0 ≤ x ≤ 1.0、0.0 ≤ y ≤ 1.0、0 < z ≤ 0.8)
表示的物质。
[0040] 另外,在图2 中,白图示意地表示了Y2O3 晶粒A,黑图示意地表示了钙钛矿型氧化物的晶粒B。
[0041] 而且,作为上述Y2O3 层的绝缘层3 的层厚度形成为3μm 以上。尤其优选绝缘层3的层厚为10μm 以下。
[0042] 上述电极层4 例如为以溅射形成于金属氧化物烧结体2 的上下面整个面的Pt 膜等。
[0043] 上述电极接合部2a 分别相对于上下面而以直线状形成一对。
[0044] 上述导线5 例如为白金线。
[0045] 这些导线5 利用Ag 的焊接电极7 固定于一对电极层4。
[0046] 接着,参照图3 至图5 对该热敏电阻元件1 的制造方法进行说明。
[0047] 本实施方式的热敏电阻元件1 的制造方法具有:在分别除了作为电极接合部2a 这一部分以外的板状的金属氧化物烧结体2 的上下面形成绝缘层3 的工序;以及在金属氧化物烧结体2 的上下面的至少电极接合部2a 形成一对电极层4 的工序。
[0048] 在该制造方法中,在金属氧化物烧结体2 的原料中混合通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料,在形成绝缘层3 的工序中,通过烧结使绝缘薄膜析出于金属氧化物烧结体2 的表面而形成绝缘层3。
[0049] 而且,在形成绝缘层3 的工序中,优选在金属氧化物烧结体2 的两面整体上形成绝缘层3,将激光照射到绝缘层3 的一部分来局部去除绝缘层3 而形成电极接合部2a。
[0050] 另外,除了通过上述激光照射形成电极接合部2a 之外,还可以采用对绝缘层3 的一部分通过喷砂法去除绝缘层3 而形成电极接合部2a 的工序。
[0051] 以下,对上述热敏电阻元件1 的制造方法的一例进行说明。
[0052] 首先,称量La2O3、Cr2O3 及MnO2 的各粉末后放入球磨机中,适量放入Zr 球和纯水进
行约24 小时的混合。取出上述混合之物并使之干燥之后在1100℃下烧成5 小时,例如得到在上述通式中设为x = 0.5,y = 1.0 的La(Cr0.5Mn0.5)O3 的煅烧粉。通过称量为该煅烧粉与Y2O3 成为40 ∶ 60(mol% ) 且加入Y2O3 粉末,再加入溶剂及粘合剂作为泥浆而进行铸造来制作100μm 厚度的生坯片。
[0053] 之后,重叠3 层该生坯片并用冲压机进行热压接合来制作厚度约0.3mm 的层叠片。接着,如图3 的(a) 所示,将层叠片切割成50mm×50mm 的尺寸,在1550℃下烧成5 小时来制作金属氧化物烧结体2 的晶片W。此时,烧成后在晶片W 的上下面析出厚度为数μm 的Y2O3的绝缘层3。
[0054] 并且,如图3 的(b) 所示,用激光加工机以幅度30μm 在晶片W 的表面直线状地多次照射激光,只有触到激光的区域去除绝缘层3,从而形成使热敏电阻元件1 的导电体层露出的多个直线状的电极接合部2a。接着,如图3 的(c) 所示,在绝缘层3 及电极接合部2a的表面整体溅射Pt 形成电极层4。而且,不仅对晶片W 的上面,对下面也同样进行这些工序。
[0055] 接着,如图4 及图5 所示,通过切割机将晶片W 切割成格子状而切出0.4mm 角的薄片状。另外,图4 中的双点划线为通过切割机的切出线的例子。之后,利用Ag 的焊接电极7 将一对导线5 固定于一对电极层4,另外,通过在金属氧化物烧结体2 与导线5 的连接部分施加玻璃模具形成模具部6,从而制作热敏电阻元件1。
[0056] 如此,在本实施方式的热敏电阻元件1 中,因为具备有绝缘层3 和一对电极层4,所述绝缘层形成在分别除了作为电极接合部2a 这一部分以外的金属氧化物烧结体2 的上下面,所述电极层在金属氧化物烧结体2 的上下面至少形成于电极接合部2a,所以电极层4与金属氧化物烧结体2 的接合仅为电极接合部2a 且降低有效电极面积,因此不增加金属氧化物烧结体2 中的绝缘体(Y2O3) 就能够提高阻抗值。
[0057] 而且,在降低该有效电极面积的本实施方式的热敏电阻元件1 中,与增加金属氧化物烧结体2 中的绝缘体(Y2O3) 的情况相比,更能减小阻抗值的偏差。
[0058] 另外,因为绝缘层3 为在金属氧化物烧结体2 烧结时析出于表面的绝缘薄膜,所以能够与烧结同时自动地形成绝缘层3,比设置在烧结后的金属氧化物烧结体2 的表面上另外形成绝缘层3 的工序的情况更能缩减工序数。而且,根据混合于金属氧化物烧结体2 的原料中的绝缘材料(Y2O3),能够提高金属氧化物烧结体2 自身的阻抗值。
[0059] 而且,金属氧化物烧结体2 为由通式:(1-z)ABO3+zY2O3( 其中,ABO3 为钙钛矿型氧化物,0 < z ≤ 0.8) 表示的复合氧化物烧结体,绝缘层3 为Y2O3 层,所以根据以绝缘性高的良好的绝缘薄膜的形式析出的Y2O3 层,能够得到偏差小的阻抗值特性。
[0060] 而且,因为用玻璃或耐热树脂的模具部6 密封金属氧化物烧结体2 和导线5 的连接部分,所以可根据模具部6 从大气遮断金属氧化物烧结体2 来提高耐环境性。
[0061] 并且,因为将激光照射到绝缘层3 的一部分而局部去除绝缘层3 形成电极接合部2a,所以只能使照射激光的部分露出金属氧化物烧结体2,并能够高精度地形成窄幅的电极接合部2a。而且,若采用对绝缘层3 的一部分通过喷砂法去除绝缘层3 而形成电极接合部的方法,则在激光照射中不会对金属氧化物烧结体2 带来热影响等。
[0062] [ 实施例1]
[0063] 接着,在上述实施方式的热敏电阻元件的制造方法中,将金属氧化物烧结体的基本组成设为La(Cr,Mn)O3+0.6Y2O3(ρ = 80Ω?cm、B = 2000K),使激光的照射幅度( 电极接合部的幅度) 变化而实际制作多个实施例,并对阻抗值的偏差( 标准偏差) 进行评价,将其结果示于以下表1。
[0064] 另外,金属氧化物烧结体的薄片尺寸设为幅度W :0.4mm× 长度L :0.4mm× 厚度T :
0.2mm。
[0065] 与各激光照射幅度对应的在25℃下的阻抗值(R25)、加入用于得到与这些相同的阻抗率的Y2O3 时的量及此时的阻抗值偏差( 标准偏差) 也一并示于表1 中。
[0066] [ 表1]
[0067]
照射幅度(μm) 阻抗值 6( 标准偏差) 必要Y2O3 量 6( 标准偏差)
0 > 10^6Ω -
10 35kΩ 1.2kΩ 约0.74mol% 4kΩ
20 18kΩ 0.3kΩ 约0.73mol% 1kΩ
40 8kΩ 0.1kΩ 约0.71mol% 0.3kΩ
100 3.5kΩ 0.01kΩ 约0.67mol% 0.02kΩ
[0068] 从表1 可知,将要上升至相同阻抗值时,根据激光照射去掉绝缘薄膜而降低电极面积的本发明的结构及制法比只是增加Y2O3 的绝缘材料使阻抗值上升的情况在整体上偏差变得更少。尤其在需要大幅度地提高阻抗值时有效。
[0069] 另外,本发明的技术范围并不限定于上述实施方式及上述实施例,在不脱离本发明宗旨的范围内可以追加各种变更。
[0070] 例如,如上述,优选绝缘层用烧结时所析出的绝缘薄膜形成,但也可以在烧结后另外用溅射等在金属氧化物烧结体的上下面形成绝缘层。



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